InGaAs PD

InGaAs PDInGaAs Photodiode

全磊晶結構(as grown p/i/n epi structure) InGaAs PIN，以取代傳統Zn diffusion n/i/n 結構。在高速應用領域可以提升元件junction 深度的準確性，提升產品特性的一致性，良率。並調整濕蝕刻配方以降低暗電流，或輔以後磊晶(over growth)披覆蝕刻側壁來降低暗電流。