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InGaAs APD

InGaAs APDInGaAs Avalanched Photodiode

全磊晶結構(as grown SACGM epi structure) InGaAs PIN,以取代傳統Zn diffusion n/i/n 結構。透過結構設計,直接成長field control layers,跟傳統多次Zn diffusion 來製作Junctionguard ring相比,可以提高製程穩定性,降低製程複雜性及製造成本、提高生產良率,繼而降低成本。

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